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Super TrenchMOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比传统沟槽型功率MOSFET降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。

Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比传统沟槽型MOSFET产品,Super Trench技术将器件175度下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。Super Trench MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!

配合先进的封装技术,Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电能转换。

目前推出的量产品种包含30V~230V的电压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。

特点与优势:
· 极低的Rdson                            · 极低的Qg和Qgd                       · 极低的FOM(Rdson*Qg)            · 高温下的电流能力更强
· 快速柔软恢复的体二极管特性     · 低Crss/Ciss,增强抗EMI能力     · 高UIS耐量,100%出厂测试          · 符合RoHS标准

应用: 
· 交流/直流电源的同步整流                 · 直流电机驱动                   · 逆变器               · 电池充电器和电池保护电路 
·36V-96V系统中的马达控制                · 隔离的直流-直流转换器                               · 不间断电源
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