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利用先进的电荷平衡技术,新洁能全新推出第三代超结MOSFET系列产品,在第二代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度,同时改善了器件在系统中的EMI特性,产品特征导通电阻(Rdson*A)降低27%,开关损耗降低13%,总能效提升1.5%。我们为电路设计师提供500V-900V,1.8A-75A的多样电压-电流选择,同时,也为您带来SOP-8至TO-247的不同功率选择,实现占用更少的电路板空间并提高可靠性。

通过采用领先的单层外延工艺技术,第三代超结MOSFET当中新增700V-800V的产品系列,为系统应用提供更加充足的耐压余量,简化电路设计难度,提供更高的系统可靠性。这些产品广泛适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器以及智能手机、平板电脑充电器。

此外,第三代超结推出快恢复系列产品(TF系列),大幅提高了超结功率MOSFET的体二极管反向恢复能力,降低了体二极管反向恢复损耗,特别适用于半桥、全桥等桥式电路拓扑中,适宜于各类大功率电源、直流充电桩、汽车OBC等产品。

产品特征:
·卓越的功率转换效率                                                                         ·极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A)
·极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg)          ·更小的封装体积                ·卓越的EAS能力(100% EAS测试) 

产品应用:
· 电脑、服务器的电源                                                                              · 适配器(笔记本电脑,打印机等                            
· 照明(HID/LED照明,工业照明,道路照明等                                           · 消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)
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